Проведение запроса котировок на право заключения Государственного контракта на поставку медицинского оборудования для нужд ФКУЗ «Санаторий «Железноводск» МВД России»
Запрос котировок
№ ░░░░░░░░░░░░░░░░░░░
опубликован 13.10.2011 16:48 (мск)
перейти на ЭТП
в течении трёх рабочих дней с вступления контракта в силу
Место поставки
░░░░░░░░
Срок и условия оплаты
Форма оплаты: Безналичный расчёт.
Срок оплаты: Заказчик авансовый платёж не производит. Расчеты с Поставщиком осуществляются не позднее 30 (тридцати) дней (рассрочка платежа) со дня поставки и подписания надлежаще уполномоченными на то представителями Заказчика и Поставщика товарной накладной, счёта – фактуры и предоставления счёта на оплату Поставщиком но, не позднее 25 декабря 2011 года.
Порядок оплаты: платёжным поручением, путём перечисления денежных средств на расчётный счёт Поставщика.
Источник финансирования заказа
Внебюджетные средства
Начальная цена контракта
466 000,00
₽
Количество поставляемого товара:
Аппарат высокочастотной магнитотерапии – 1 шт.
Аппарат низкочастотной магнитотерапии – 1 шт.
Облучатель инфракрасный – 3 шт.
Аппарат для СМВ-терапии – 1 шт.
Технические характеристики товаров:
Основные технические характеристики аппарата высокочастотной магнитотерапии должны быть следующими:
Напряжение питания, В 220
Основная частота высокочастотных колебаний должна быть не более, МГц 13,56
Номинальная выходная мощность при работе с большим резонансным индуктором должна быть, Вт 200±50
Номинальная выходная мощность при работе с малым резонансным индуктором должна быть, Вт 60±18
Регулировка мощности должна быть ступенчатой
Число ступеней должна быть не менее 8
Мощность, потребляемая из сети, ВА не более 1200
Габаритные размеры должны быть не более, мм 915х630х530
Масса аппарата с комплектом должна быть не более, кг 110
Основные технические характеристики аппарата низкочастотной магнитотерапии должны быть следующими:
Аппарат должен быть работоспособен при электропитании от сети переменного тока частотой 50 Гц, напряжением (220 +/- 22) В.
Электрическая мощность, потребляемая аппаратом, должна быть не более 350 В.
Аппарат должен состоять из микропроцессорного блока централизованного управления и излучателей двух типов. Основные излучатели должны содержать «гибкую» излучающую поверхность, состоящую из 4 гибких излучающих линеек по 6 индукторов в каждой и микропроцессорного устройства управления. В составе аппарата должно быть от 2-х до 4-х основных излучателей. Сменный излучатель должен содержать гибкую излучающую линейку из 6 индукторов. Все индукторы в линейке должны иметь маркировку с одной стороны «N» (север), и с другой стороны «S» (юг). При выполнении процедуры должна быть учтена возможность применения магнитотерапии разными магнитными полюсами. Микропроцессорное устройство управления дополнительным излучателем должно находиться в составе блока централизованного управления. Все излучатели должны быть связаны с блоком централизованного управления гибкими кабелями с разъемным соединением.
Аппарат должен обеспечивать формирование различных видов низкочастотных, низкоинтенсивных импульсных магнитных полей в непрерывном и прерывистом режимах работы.
Виды магнитных полей генерируемых аппаратом должны быть следующими: непрерывное («неподвижное») пульсирующее; прерывистое пульсирующее МП; «бегущее» в вертикальной плоскости сверху вниз или снизу вверх; «бегущее» в горизонтальной плоскости или вращающееся МП справа налево или слева направо; «бегущее» по диагонали. Должен создаваться эффект одновременного воздействия «бегущим» МП в горизонтальной и вертикальной плоскостях;
Амплитуда магнитной индукции на поверхности индукторов в режиме формирования «бегущего» поля должна быть – 2, 4, 6, 8, 10, 15, 20 мТл при частоте импульсов поля от 1 до 100 Гц и 25 мТл при частоте от 1 до 75 Гц; в режиме формирования «неподвижного» поля должна быть – 2, 4, 6 мТл при частоте импульсов магнитного поля от 1 до 16 Гц.
Время процедуры магнитного воздействия (мин) должно быть – 5, 10, 15, 20, 25, 30.
Длительность импульсного воздействия и пауз между ними в режиме прерывистого магнитного поля (с) должны быть – от 1 до 60 с дискретностью 1 с.
Частота импульсов магнитного поля (Гц) должна быть – от 1 до 100 с дискретностью 1 Гц.
Температура поверхности излучателей – должна быть меньше 400С
Основные технические характеристики облучателя инфракрасного должны быть следующими:
Инфракрасная лампа должна быть мощностью не более 150 Вт.
Облучатель инфракрасный должен иметь: 4 регулируемых положения лампы; Таймер от 1 до 12 минут; Автоматическое отключение в любом режиме через 12мин; Фасонное стекло; Мощность 150 Ватт; Нескользящую подставку; инфракрасную лампу накаливания.
Основные технические характеристики аппарата для СМВ-терапии должны быть следующими:
Напряжение питания должно быть 220 В
Частота - 50 Гц
Рабочая частота не более - 2450 МГц
Выходная мощность :
- максимальная от 127 до 173