по факту в 2 этапа, после подписания акта выполненных работ.
Сроки оплаты: 1 этап ? 50% в срок до 15.09.2011, 2 этап ? 50% в срок до 15.12.2011 г.
Источник финансирования заказа
внебюджетные средства
Начальная цена контракта
200 000,00
₽
20 штук лицензий на передачу неисключительных прав на использование программного обеспечения САПР Synopsys Advanced TCAD (университетский пакет) для Учебно-исследовательского лабораторного комплекса моделирования и проектирования интегральных микросхем. Тип лицензии – временный доступ сроком на 1 год.
Требования к ПО:
• расчет GaAs и GaN наноразмерных приборов;
• расчет оптоэлектроники, включая светодиоды и лазеры;
• генерация данных для SPICE моделирования;
• возможность внедрения новых моделей;
• различные режимы анализа: по постоянному току, переходные процессы, по переменному току, гармонический баланс;
• численные алгоритмы, использующие распараллеливание вычислений;
• детальные модели окисления, включающие зависимость от ориентации и от давления, а также смешанные потоки внешних газов;
• точная SiGe диффузионная модель, учитывающая эффекты, связанные с механическим стрессом в точечных дефектах, сужения запрещенной зоны и образование Ge-B пар;
• модели кластеризации, аналитической имплантации с моделями разрушения, Монте-Карло имплантация с генерацией точечных дефектов и поддержка мишеней сложных материалов с мольной долей;
• эпитаксиальное выращивание модели;
• экстракция толщин слоев, поверхностных сопротивлений, профилей легирования и других результатов моделирования;
• диффузия в поликремнии по границам зерен;
• модель потери дозы: 3-х фазная сегрегация на границах;
• примесная кластеризация: кластеры чистой примеси;
• ускоренная диффузия (модели университета Флориды <311>, I2, I4, I6, V2, V4, модели FRENDTECH формирования междоузельных кластеров, калибровка начальных условий после ионной имплантации);
• влияние механического напряжения на диффузию;
• эффект присутствия Ge в парообразующей диффузии примесь-дефект;
моделирование температуры при импульсном или лазерном отжиге.