/ / / / / /

Размещение завершено

Продление срока лицензии программного обеспечения TCAD на 20 рабочих мест для университета

Запрос котировок № ░░░░░░░░░░░░░░░░░░░ опубликован 10.06.2011 10:26 (мск) перейти на ЭТП
Начальная цена контракта
200 000,00 ₽
Порядок размещения время МСК
94-ФЗ, Запрос котировок, перейти на ЭТП
Подача заявки
14.06.2011 05:00 21.06.2011 12:00 Российская Федерация, 630102, Новосибирская обл, Новосибирск г, ул. Нижегородская, 23, к.227
Форма заявки
Согласно приложения к извещению
Срок подписания победителем контракта
Не позднее 20 дней со дня подписания протокола рассмотрения и оценки котировочных заявок
Документы
Заказчик
░░░░░░░░░░░ ░░░░░░░░░░░░░░░ ░░░░░░░░░░░░░░░ ░░░░░░░░░ ░░░░░░░░░░ ░░░░░░░ ░░░░░░░░░░░░░░░░░ ░░░░░░░░░░░ ░░░░░░░░░░ ░░░░░░░░░░░░░░░ ░░░░░░░░░░░ ░░░░░░░░░░░░░░░░ ░ ░░░░░░░░░░░░
ИНН-КПП
░░░░░░░░ – ░░░░░░░░
Время поставки
до 31.08.2011 г
Место поставки
░░░░░░░░
Срок и условия оплаты
по факту в 2 этапа, после подписания акта выполненных работ. Сроки оплаты: 1 этап ? 50% в срок до 15.09.2011, 2 этап ? 50% в срок до 15.12.2011 г.
Источник финансирования заказа
внебюджетные средства
Начальная цена контракта
200 000,00 ₽
20 штук лицензий на передачу неисключительных прав на использование программного обеспечения САПР Synopsys Advanced TCAD (университетский пакет) для Учебно-исследовательского лабораторного комплекса моделирования и проектирования интегральных микросхем. Тип лицензии – временный доступ сроком на 1 год. Требования к ПО: • расчет GaAs и GaN наноразмерных приборов; • расчет оптоэлектроники, включая светодиоды и лазеры; • генерация данных для SPICE моделирования; • возможность внедрения новых моделей; • различные режимы анализа: по постоянному току, переходные процессы, по переменному току, гармонический баланс; • численные алгоритмы, использующие распараллеливание вычислений; • детальные модели окисления, включающие зависимость от ориентации и от давления, а также смешанные потоки внешних газов; • точная SiGe диффузионная модель, учитывающая эффекты, связанные с механическим стрессом в точечных дефектах, сужения запрещенной зоны и образование Ge-B пар; • модели кластеризации, аналитической имплантации с моделями разрушения, Монте-Карло имплантация с генерацией точечных дефектов и поддержка мишеней сложных материалов с мольной долей; • эпитаксиальное выращивание модели; • экстракция толщин слоев, поверхностных сопротивлений, профилей легирования и других результатов моделирования; • диффузия в поликремнии по границам зерен; • модель потери дозы: 3-х фазная сегрегация на границах; • примесная кластеризация: кластеры чистой примеси; • ускоренная диффузия (модели университета Флориды <311>, I2, I4, I6, V2, V4, модели FRENDTECH формирования междоузельных кластеров, калибровка начальных условий после ионной имплантации); • влияние механического напряжения на диффузию; • эффект присутствия Ge в парообразующей диффузии примесь-дефект; моделирование температуры при импульсном или лазерном отжиге.
Объекты закупки
ОКДП
7260000 Системы и прикладные программные средства
Требования к участию
Особенности размещения заказа

К запросу котировок не допускаются организации, сведения о которых содержатся в РНП

Участники и результаты
Участник Цена,  ₽ Результаты

░░░░░░░░░░░ ░░░░░░░ ░░░░░░

░░░░░ ░░░░░
Похожие закупки