Компоненты электронные

Операционные усилители общего применения Напряжение смещения нуля, 0,05 мВ, Ток смещения, 60 пА, Полоса пропускания, 5МГц, Напряжение питания 3-6В. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Кварцевые резонаторы Часовые, 4 - 75 МГц.Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Кварцевые резонаторы Часовые, 4 - 75 МГц.Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Диоды шоттки Обратное напряжение до 40 В, Прямой ток не менее 1А. Рабочая температура -60 до +175 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

IGBT – модуль MIDA Ток от 300 А до 700 АНапряжение от 1200 В до 1700 В. Стандарты ISO 9001, ISO 14001, EcoVadis

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

IGBT – модуль MIHA Ток до 400 AНапряжение 1700 В. Стандарты ISO 9001, ISO 14001, EcoVadis

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

N-канальный MOSFET транзистор Напряжение сток-исток 100 В, Ток истока 1 А. Рабочая температура -60 до +175 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

EEPROM память Объём памяти 256K (32K х 8), Интерфейс Serial, 4-Wire, SDI, SPI, тактовая частота 5 MHz, Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

16 - разрядные микроконтроллеры Ядро не ниже архитектуры RISC V, ЦАП разрядностью 16 бит, АЦП (Сигма дельта), разрядность 16 бит, интерфейсы I²C, IrDA, LINbus, SCI, SPI, UART / USART. Рабочая температура -40 - + 85 °C. Напряжение питания 3,3 -5В, максимальная потребляемая мощность не более 5 Вт. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

DSP процессоры Тактовая частота 150 МГц при температурах –40°C до 85°C Рабочее напряжение питания 3,3 - 12В. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

DSP процессоры Тактовая частота 50 - 70 МГц, рабочая температура –50°C до +85°C. Рабочее напряжение питания 3,3 - 12В. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

ПЛИС КМОП 5508-ячеек, последовательных приемопередатчиков малой мощности 3,2 Гбит/с - 2шт., встроенная память 200Мбит. Рабочая температура -40 до +85 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Микросхемы логики Инверторы, триггеры, микросхемы булевых операций. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Инструментальные операционные усилители Полоса пропускания, 7 МГц, Напряжение смещения, 4 мкВ, Входное сопротивление, 10 Гом, Напряжение питания, 3-6 В. Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Операционный усилитель с выходоми на полевых транзисторах Напряжение смещения нуля 0,05 мВ, Ток смещения 60 пА, Полоса пропускания 5 МГц. Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек. .

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Токовый монитор Диапазон допускаемых напряжений смещения относительно общего провода -2 до 65В, Напряжение питания 3-6 В. Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Операционные усилители общего применения Напряжение смещения нуля, 0,05 мВ, Ток смещения, 60 пА, Полоса пропускания, 5МГц, Напряжение питания 3-6В. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Преобразователь напряжения Входное напряжение 2 - 7 В, Выходной ток до 3 А, Частота 100 - 1000 кГц (настраиваемая) КПД до 95%. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

IGBT – модуль MIFA Ток от 75 А до 200 А Напряжение от 1200 В до 1700 В. Стандарты ISO 9001, ISO 14001, EcoVadis

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

IGBT – модуль MIAA Ток от 150 А до 600 АНапряжение от 1200 В до 1700 В. Стандарты ISO 9001, ISO 14001, EcoVadis

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Драйверы IGBT Напряжение затвора +15/-8 ВПиковый выходной ток -8 – +8 АМаксимальная рабочая частота (без нагрузки) 50 кГцРабочий диапазон температур -40 – +85°C

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Тиристоры и диоды в таблеточном исполнении Блокирующее напряжение до 6500 ВСредний ток до 12500 А

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

ПЛИС КМОП 24051-ячеек, последовательных приемопередатчиков малой мощности 3,2 Гбит/с - 8шт., встроенная память 800Мбит. Рабочая температура -60 до +150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Интерфейсные микросхемы Интерфейс RS485, I2C, CAN2. Напряжение питания 3,3-5В. Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Диоды для подавления скачков переходных напряжений (TWS) Напряжение пробоя 6-7 В, Рабочее напряжение 3,3-5 В. Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

16 - разрядные микроконтроллеры Ядро не ниже архитектуры RISC V, ЦАП разрядностью 16 бит, АЦП (Сигма дельта), разрядность 16 бит, интерфейсы I²C, IrDA, LINbus, SCI, SPI, UART / USART. Рабочая температура -60 - + 150 °C. Напряжение питания 3,3 -5В, максимальная потребляемая мощность не более 5 Вт. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

ПЛИС КМОП 5508-ячеек, последовательных приемопередатчиков малой мощности 3,2 Гбит/с - 8шт., встроенная память 800Мбит. Рабочая температура -40 до +85 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Интерфейсные микросхемы Интерфейс RS485, I2C, CAN2. Напряжение питания 3,3-5В. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Источник опорного напряжения Входное напряжение 3-15 В, Температурный дрейф 5 ppm/°C, не более, Выходной ток 30 мА, Выходное напряжение 2-5 В, регулируемые, Шум 20 мкВ. Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Кварцевые резонаторы Часовые, 4МГц, 16МГц и др. Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Операционный усилитель Rail-to-Rail Напряжение смещения нуля 40 мкВ, Ток смещения 5,3 пА, Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек. .

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Преобразователь напряжения Входное напряжение 2 - 7 В, Выходной ток до 3 А, Частота 100 - 1000 кГц (настраиваемая) КПД до 95%. Рабочая температура -60 - + 150 °C Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Токовый монитор Диапазон допускаемых напряжений смещения относительно общего провода -2 до 65В, Напряжение питания 3-6 В. Рабочая температура -40 до +85 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

N-канальный MOSFET транзистор Напряжение сток-исток 100 В, Ток истока 1 А. Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

P-канальные MOSFET транзисторы Напряжение сток-исток 100 В, Ток истока 1 А. Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Стабилизатор напряжения Входное напряжение 5-150В, Выходное 3,3 - 12 В. Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

P-канальные MOSFET транзисторы Напряжение сток-исток 100 В, Ток истока 1 А. Рабочая температура -40 до +85 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Диоды для подавления скачков переходных напряжений (TWS) Напряжение пробоя 6-7 В, Рабочее напряжение 3,3-5 В. Рабочая температура -40 до +85 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

16 - разрядные микроконтроллеры Ядро не ниже архитектуры RISC V, ЦАП разрядностью 16 бит, встроенный АЦП, разрядность 16 бит, интерфейсы I²C, SPI, UART / USART. Рабочая температура -50 - + 85 °C. Напряжение питания 3,3 -5В, максимальная потребляемая мощность не более 5 Вт. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

32 - разрядные микроконтроллеры Ядро ARM Cortex-M4 (или аналогичное), рабочая температура -60 до +150 °C. Напряжение питания 3,3 -5В, максимальная потребляемая мощность не более 5 Вт. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

32 - разрядные микроконтроллеры Ядро не ниже архитектуры RISC V, рабочая температура -40 до +85 °C. Напряжение питания 3,3 -5В, максимальная потребляемая мощность не более 5 Вт. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

32 - разрядные микроконтроллеры Ядро не ниже архитектуры RISC V, рабочая температура -50 до +85 °C. Напряжение питания 3,3 -5В, максимальная потребляемая мощность не более 5 Вт. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

DSP процессоры Тактовая частота 150 МГц при температурах –60°C до 125°C и до 100 МГц при температуре до 210°C. Рабочее напряжение питания 3,3 - 12В. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Микросхемы логики Инверторы, триггеры, микросхемы булевых операций. Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Линейные регуляторы напряжения Входное напряжение 2 - 20 В, Точность не менее 2 % во всём температурном диапазоне, Шум 20 мкВ, Зависимость от входного напряжения 5 ppm/V Зависимость от входного тока 5 ppm/mA. Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Мониторы питания Проговое напряжение 3-4,5В. Напряжение питания 3-6В. Рабочая температура -60 - + 150 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Источник опорного напряжения Входное напряжение 3-15 В, Температурный дрейф 5 ppm/°C, не более, Выходной ток 30 мА, Выходное напряжение 2-5 В, регулируемые, Шум 20 мкВ. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

EEPROM память Объём памяти 128K (16K х 8), Интерфейс Serial, 4-Wire, SPI, тактовая частота 5 MHz, Рабочая температура -50 до +105 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки +/-5g

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные

Аналоговые ключи Сопротивление во включенном состоянии 1,5 Ом, Время включения 150 нсек, Время выключения 150нсек, Напряжение питания 12В. Рабочая температура -60 до +175 °C. Вибрационные среднеквадратические нагрузки 30g, ударные 1000g длительность импульса удара 5 мсек.

ОКПД2 26.11   Компоненты электронные