Размещение завершено
Высокотемпературный кремниевый источник с максимальной температурой отжига не ниже 1800°С, который будет использоваться в установке аммиачной МЛЭ Compact-21(NH3) при синтезе A3-нитридных гетероструктур.
Наименование | Кол-во |
---|---|
Высокотемпературный кремниевый источник ОКПД2 28.99.20.000 Оборудование и аппаратура, исключительно или в основном используемые для производства полупроводниковых слитков или пластин, полупроводниковых устройств, электронных интегральных микросхем или плоскопанельных дисплеев |
░ ░░ |